氧化钨薄膜对发光二极管特性的影响研究

摘要：

氧化钨薄膜具有适中的光学带隙、折射率及高功函数等半导体特性,本文采用溅射法(Sput-tering)制备氧化钨薄膜测试其光电特性,使用AFM、XRD观察薄膜外观结构与晶体状态,应用XPS、UPS表征薄膜的化学计量组分及薄膜功函数,并将此薄膜应用于AlGaInP发光二极管器件中,以增加与p-GaP欧姆接触特性,增加载流子注入效率;测试结果表明:采用合适厚度的氧化钨虚设层与ITO形成的复合膜层可有效增加电子注入效率,使AlGaInP发光二极管的出光强度提高4％,同时正向电压降低0.01 V.

关键词：氧化钨;函数等;AlGaInP发光二极管;出光效率

所属期刊栏目：32

分类号：TP273.2(自动化技术及设备)

在线出版日期：2021-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：344-348