近空间升华法制备高取向硒化锑薄膜太阳电池

摘要：

硒化锑太阳电池以其原材料丰富、工艺简单和结构稳定等优势,近年来得到了快速发展.本论文采用近空间升华法制备硒化锑光电薄膜,并对硒化锑的生长进行了机理研究和参数优化.结果显示:衬底温度的提升有助于硒化锑薄膜的晶化.当衬底温度为340℃时,薄膜具有较高的晶化率和致密的表面形貌.另一方面,蒸发间距的改变能够调制硒化锑薄膜的择优取向.当蒸发间距为10 mm时,薄膜具有明显的(002)取向的择优,对应(Sb4Se6)n带垂直于衬底生长,使硒化锑光吸收层具有优异的载流子传输特性.将优化好的硒化锑薄膜应用到太阳电池中,以FTO/CdS/Sb2Sea/P3HT/C的器件结构,获得了5.78％的光电转换效率,其中开路电压为0.375 V,短路电流密度为28.01 mA/cm2,填充因子为54.94％.以上研究为高取向性硒化锑太阳电池的优化制备提供了技术路线,并显示出了硒化锑太阳电池的研究潜力.

关键词：近空间升华法、硒化锑薄膜、生长取向控制、太阳电池

所属期刊栏目：32

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家电网有限公司总部科技项目;吉林省教育厅十三五科学技术项目;吉林省发改委产业技术研究与开发项目

在线出版日期：2021-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：304-309