高亮度低启亮绿光有机电致发光器件
为了得到高亮度且低启亮的OLED器件,本文将价格低廉的氧化钼(MoO3)作为器件的空穴注入层,通过真空热蒸发法制备了结构为ITO/MoO3(y nm)/NPB(60 nm)/Alq3(80 nm)/CsCl(0.5 nm)/Al(120 nm)的有机电致发光器件.通过比较(y=1,3,5,7 nm)四种厚度MoO3薄膜制作的器件性能,分析器件的J-V和L-V等数据发现,当MoO3薄膜的厚度为5nm时,器件启亮电压仅为2.5V;当器件电压为9.25V时,得到最大亮度43 580 cd/m2.当电流密度为647.92 mA/cm2时,器件最大电流效率6.73 cd/A.器件的亮度和启亮电压性能同时达到最佳.相比于普通的标准器件,发光亮度和电流效率分别提高了4倍和3.3倍.分析可知,MoO3作为器件的空穴注入层,降低了器件阳极和空穴传输层之间的势垒高度,器件发光层产生了更多的电子-空穴对,使得器件的性能得到了提高,也为降低OLED生产成本开辟了一条新途径.
有机电致发光、空穴注入层、偏置电压、发光亮度
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TN383.1(半导体技术)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;重庆市基础科学与前沿技术研究专项项目;重庆市基础科学与前沿技术研究专项项目;重庆市特殊人才支持计划;国家重点实验室开放基金;国家重点实验室开放基金
2020-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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1128-1132
