近圆形光斑650nm半导体激光器的设计及制备

摘要：

红光半导体激光器被广泛用于景观照明、塑料光纤通讯、空气质量检测和医疗等方面,但受限于其可靠性不高及光斑质量差的缺点,在制作点光源或耦合进光纤等方面增加了应用成本.为解决此问题,本文设计并制作了基横模工作的650 nm脊型半导体激光器.结合AlGaInP材料的特点,我们使用极窄波导光场扩展结构,使光场渗入限制层,增加了光场扩展宽度,有效降低了激光器的垂直发散角.通过电感耦合等离子刻蚀技术得到陡峭的2μm宽度的窄脊型结构,然后通过湿法工艺去除损伤并腐蚀到阻挡层位置.干湿结合的工艺使得激光器能稳定地基横模输出.制作的激光器远场图形呈近圆形分布,克服了传统半导体激光器光斑狭长的缺点.功率测试在30 mW以上没有出现功率曲线扭折,并且制作的激光器通过了60℃下10 mW的老化测试,推算的平均失效时间(MTTF)大于18000 h.

关键词：650 nm激光器、陡峭脊型、基横模、近圆形光斑

所属期刊栏目：30

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点研发计划2018YFB0406901

在线出版日期：2019-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：901-905