GaN基绿光LED芯片电流加速失效机理研究

摘要：

采用电流加速的电应力老化方法研究GaN基绿光LED芯片的失效机理.LED芯片在经过60 mA电流老化424 h后,其发光效率总体趋势都是随老化时间增加而减小,但是小测量电流相比于大测量电流的发光效率衰减程度更为明显.同时,在正向偏压下电流电压曲线基本没有变化,而反向偏压下的反向电流随老化时间的增加而快速增加.笔者认为在电应力老化作用下,随老化时间增加,有源区的缺陷能级增多,在正向偏压下,缺陷能级起到一个有效陷阱的作用,增加了载流子的寿命,降低了辐射复合的几率,使得发光效率降低,但是并没有减小正向偏压下的电流,而反向偏压时,缺陷能级起到了一个漏电通道的作用,使得反向电流增大.

关键词：GaN、LED、有效陷阱、失效机理

所属期刊栏目：30

分类号：TN383+(半导体技术)

资助基金：福建省自然科学基金面上项目;福建省教育厅项目

在线出版日期：2019-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：588-592