与Si CMOS兼容的Graphene/MoS2异质结全差分光电探测器和读出电路

摘要：

提出了一种基于Graphene/MoS2异质结的全差分光电探测器.利用标准半导体微纳加工技术,制作了有效区域为2.3 μm×10 μm的Graphene/MoS2异质结结构,用以产生差分光电流;使用0.18 μm CMOS工艺设计了差分放大与恒压控制电路,实现光电流到电压的转换和放大.结果 表明:在白光照射下,单个Graphene/MoS2异质结结构光响应度达2 435 A/W.差分光生电流经过差分放大器后,以电压形式输出,总光响应度加倍.该全差分光探测器基于新型二维材料,对可见光具有较高的灵敏度,在可见光探测和成像领域具有广阔的应用前景.

关键词：Graphene/MoS2异质结、二维材料、全差分光电探测电路、光响应度

所属期刊栏目：30

分类号：TN256(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点实验室开放基金IOSKL2017KF07

在线出版日期：2019-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：347-352