倒金字塔结构的黑硅PIN光电探测器的研究

摘要：

由于晶体硅间接带隙的本质,光的吸收系数较低,影响了硅基光电探测器的量子效率.倒金字塔结构被证明是能够使得单晶硅片的光吸收效率接近Yablonovitch limit的有效陷光结构.本论文采用金属催化腐蚀技术在单晶硅上制备具有随机分布的倒金字塔陷光结构,并将其应用到PIN光电探测器.结果显示具有倒金字塔结构的黑硅PIN光电探测器加权平均反射率从20.18％降低至4.77％,探测器的漏电流仅0.9 nA,光谱响应度达到0.64 A/W,较常规硅探测器提高33％.这些结果表明金属催化腐蚀技术形成的倒金字塔结果能有效降低器件的表面反射率,从而提高探测器的光谱响应度.

关键词：PIN光电探测器、倒金字塔、金属催化腐蚀、表面陷光

所属期刊栏目：29

分类号：TN253(光电子技术、激光技术)

资助基金：南开大学自制实验教学仪器项目18NKZZYQ02

在线出版日期：2019-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1270-1274