近室温工作的中长波InAsSb探测器

摘要：

用熔体外延法(melt epitaxy),在砷化铟(InAs)衬底上,制备了长波铟砷锑(InAs0.05Sb0.95)厚膜单晶.熔体外延法,是一种改进的液相外延法(LPE).用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,测量出外延层的厚度达到150 μm,这个厚度有效地抑制了外延层与衬底之间晶格失配的影响.制作了近室温工作的中长波铟砷锑探测器,是光导型器件,安装了半导体制冷器.250K下,光谱响应的波长范围为2-11 μm,峰值响应率为153.7 V/W,加装锗(Ge)场镜后,峰值响应率提高到1 912.6 V/W,指示了在红外探测领域的应用前途.

关键词：InAsSb、近室温工作、光谱响应、峰值响应率

所属期刊栏目：29

分类号：O612.5(无机化学)

资助基金：军工科研资助项目

在线出版日期：2019-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1266-1269