掺杂对二维SiC材料光电性质的影响

摘要：

利用第一性原理赝势平面波方法计算了Si-C邻近元素(B、N、Al、P)掺杂二维SiC的几何结构、电子结构和光学性质.结果表明:掺杂后的二维SiC晶格常数(a、6)、键长及角度均发生了明显变化;同时,在禁带中引入了杂质能级,导带和价带均向低能方向发生了明显的移动,带隙发生变化,费米能级附近引入了杂质的2p及3p态电子.光学性质的计算表明:在低能端B、N、Al掺杂使二维SiC吸收电磁波的能力明显增强;静态介电常数增大而能量损失峰降低.以上结果说明可以根据需要利用B、N、Al、P掺杂来调制二维SiC材料的光电性质.

关键词：碳化硅、掺杂、几何结构、电子结构、光学性质

所属期刊栏目：29

分类号：O474;O472+.3;O472+.4(半导体物理学)

资助基金：贵州省自然科学基金;安徽省农科院院创新团队项目;博士基金

在线出版日期：2018-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：975-981