砷化镓类半导体材料在太赫兹波段的透射特性研究

摘要：

首先给出了利用光电导天线产生的太赫兹波的时域和频域光谱,进而,基于搭建的太赫兹时域光谱系统,并采用透射光谱法分别测量了砷化镓类型的三种半导体材料在太赫兹波段的透过率.结果表明,基于光电导天线产生的太赫兹波在0～2 THz范围内,光谱比较稳定,频率带宽比较宽;砷化镓半导体材料在0～2.0 THz范围内的透过率的变化相对较小,具有较高的透过率(＞60％),并且明显优于碲化锌以及碲化镉半导体材料在太赫兹波段的透过率.因此,相比于碲化锌以及碲化镉半导体材料而言,砷化镓半导体材料更适用于设计宽频带的太赫兹功能器件.

关键词：太赫兹(THz)波、太赫兹时域光谱系统、透射光谱法、半导体材料、透过率

所属期刊栏目：29

分类号：TN244(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;贵州省科技厅项目;贵州省普通高等学校工程研究中心黔教合KY字2016017;贵阳学院引进人才启动基金

在线出版日期：2018-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：964-968