2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析

摘要：

利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长InGaAsSb/A1GaAsSb量子阱激光器结构,研制了激射波长为2.0 μm波段的GaSb基量子阱激光器.测量了激光器的阈值电流密度随激光器腔长的变化规律,得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135 A/cm2,在室温连续波工作模式下,测得激光器的内量子效率为61.1％,内部损耗为8.3 cm-1,激光输出功率斜效率为112 mW/A,最高输出功率达到72 mW,器件性能优异.另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特性.器件激射波长随注入电流的红移速度为0.475 nm/mA.对于不同腔长的器件,腔长越长,器件工作波长越长,工作波长和腔长之间呈单调关系.上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征.

关键词：分子束外延、阈值电流密度、量子阱、激射波长

所属期刊栏目：29

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;山东省自然科学基金

在线出版日期：2018-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：933-937