新型CIGS阻挡层多横向界面Mo的特性及对器件性能的影响

摘要：

采用磁控溅射方法,在不锈钢箔上制备多横向界面Mo(M-Mo,multi-transverse interface Mo)和单横向界面Mo(S-Mo)薄膜,并利用共蒸发三步法分别在M-Mo和S-Mo薄膜上制备Cu(In,Ga) Se2 (CIGS)薄膜及器件.通过二次离子质谱仪(SIMS)、X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同结构的Mo薄膜对CIGS影响.通过I-V测试,表征M-Mo和S-Mo作为背电极的CIGS电池电学性能.XRD结果显示,M-Mo和S-Mo薄膜均以(110)为择优取向.SEM结果显示,M-Mo薄膜相对于S-Mo,薄膜晶粒较小,粗糙度较大.J-V测试结果显示,M-Mo薄膜作为背电极的电池的开路电压Voc短路电流Jsc和填充因子(FF)均有所提高.

关键词：Cu(In、Ga)Se2(CIGS)、多横向界面Mo薄膜(M-Mo)、单横向界面Mo薄膜(S-Mo)、Fe扩散

所属期刊栏目：29

分类号：TN253(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61504067

在线出版日期：2018-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：129-132