基于有机薄膜晶体管电特性曲线获取迁移率方法的研究

摘要：

场效应迁移率是描述有机薄膜晶体管(OTFT)性能的重要参数之一,目前OTFT场效应迁移率主要根据实验测得OTFT电特性曲线通过拟合计算方法获得.本文针对这种方法进行深入研究发现,OTFT的场效应迁移率与其工作状态有关.在线性工作状态下,OTFT的线性区场效应迁移率随着栅电压的增加而增大;在饱和工作状态下,当漏电压VD＞1.5VGmax时,饱和区场效应迁移率为一定值,表明采用此值表征OTFT的电性能更加客观和精确.

关键词：有机薄膜晶体管(OTFT)、场效应迁移率、栅电压最大值

所属期刊栏目：28

分类号：TN253(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;北京市科委重大项目;中央高校基本科研业务费专项;辽宁省教育厅;辽宁大学青年科研基金资助项目

在线出版日期：2017-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1174-1179