铜辅助化学腐蚀条件对多孔硅的影响

摘要：

以铜(Cu)作为催化剂,采用两步化学腐蚀法成功制备了微纳米多孔硅(PS).本文方法成本低廉、操作简易.系统研究了腐蚀液中H2 O2浓度、Si衬底掺杂浓度、腐蚀液温度和腐蚀时间对PS表面形貌和腐蚀深度的影响,并得到最佳制备参数.高、低掺Si衬底所采用的最佳配比腐蚀液中的H2O2浓度分别达到0.70 mol/L和0.24 mol/L.在25℃腐蚀液中,腐蚀2h得到约200 nm深的纳米级孔洞,其表面反射率在宽波段内降低到5％以下;而在50℃腐蚀液中,经过2～4 h的腐蚀,可得到14～41 μm深的结构稳定的微纳米级孔洞.文中还对Cu辅助腐蚀与其他金属辅助腐蚀(MACE)作了对比,分析了Cu辅助腐蚀获得锥状孔洞的原因和机理.

关键词：金属辅助化学腐蚀(MACE)、铜(Cu)催化、多孔硅(PS)、纳米结构、表面减反

所属期刊栏目：28

分类号：O649(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金;福建省中青年教师教育科研资助项目

在线出版日期：2017-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1101-1107