Si基多量子阱SiGe/Si波导光电探测器的制备和研究

摘要：

采用分子束外延MBE技术,在Si衬底上外延高质量的20周期SiGe/Si多量子阱(MQW)层;以SiGe/Si MQW材料作为吸收区,在Si基上制备波导型PIN光电探测器;金属A1制作在器件的台面上下,形成金属-半导体肖特基接触.测试结果表明,器件在-2V偏压下,对台面面积为7 500μm2,暗电流为0.1 μA;在0V偏压下,探测器的光响应谱的吸收峰值为1 008 nm,并可以观察到随着吸收长度的增大,响应信号也随之增大.

关键词：SiGe/Si多量子阱(MQW)、波导探测器、光谱响应

所属期刊栏目：28

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：福建省中青年教师教育科研资助项目JA15654

在线出版日期：2017-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1072-1075