金属Al与半导体Ge欧姆接触的制备和表征

摘要：

基于圆形传输线模型,通过测试样品的比接触电阻率和电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性曲线,分析对比了Al与Si基上外延生长的p型Ge、n型Ge和n型Si的接触特性.实验结果发现,由于金属与Ge材料接触存在强烈的费米钉效应,导致金属与n型Ge接触有高的接触电阻,难实现低的比接触电阻率;而Al与p型Ge在掺杂浓度为4.2×1018 cm-3时,并且经过退火,比接触电阻率能达到4.0×10-7Ω·cm2;Al与n型Ge和n型Si接触电极相比,后者可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较n型Ge接触降低了1个量级,经合金化处理后的Al/n+ Si接触电阻率能达到5.21×10-5 Ω·cm2,达到了制作高性能Ge光电器件的要求.

关键词：金属与Ge接触、欧姆接触、比接触电阻率

所属期刊栏目：28

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：福建省中青年教师教育科研资助项目JA15654

在线出版日期：2017-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：482-486