基于Bphen∶BCP∶CsCO3作为电子传输层的OLED性能研究

摘要：

为了进一步平衡OLED器件内部空穴和电子载流子的注入,制备了结构为ITO/NPB(40nm)/Alq3 (45 nm)/Bphen∶ (X％)BCP∶ (5％)Cs2CO3 (15 nm)/Cs2CO3 (1.5 nm)/Al(100 nm)的OLED器件,通过改变BCP的掺杂浓度,研究了以Bphen∶BCP∶Cs2 CO3作为电子传输层对OLED器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响.结果表明,采用Bphen∶BCP∶Cs2 CO3作为电子传输层能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能,相比于未引入BCP的器件,采用BCP掺杂浓度为10％的Bphen∶BCP∶Cs2 CO3作为电子传输层,可以使器件的最大电流效率提高46％,达到3.89 cd/A,且在电压从为5V上升至10 V的过程中,器件的色坐标一直为(0.35,0.55),具有很高的稳定性.原因是由于BCP的高LUMO能级和高HOMO能级,能够有效阻挡空穴到达阴极,减小空穴漏电流,同时使电子的注入更容易,电子和空穴的注入更加平衡,发光也更加稳定.

关键词：电子传输层、Bphen、BCP、Cs2CO3、有机电致发光器件

所属期刊栏目：28

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;陕西省科技统筹创新工程计划

在线出版日期：2017-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：19-24