多晶硅太阳电池背表面刻蚀提升其性能的产线工艺研究
对比研究了产线上多晶硅太阳电池背表面刻蚀对其光电转换性能的影响.示范性实验结果表明:多晶硅太阳电池背表面刻蚀能够改善其短路电流,从而相应的光电转换效率提升了约0.1%.依据多晶硅太阳电池背表面刻蚀前后的扫描电镜(SEM)形貌、背表面漫反射光谱及完整电池片外量子效率的测试结果,改进的光电转换的原因可能源于背表面刻蚀“镜面”化有利于太阳光子在背表面内反射和改进印刷Al浆与背表面覆盖接触.背表面刻蚀与当前晶硅电池产线工艺兼容,能够提升电池片的光电转换效率,是一种可供选择的产线升级工艺.
多晶硅太阳电池、背表面刻蚀、光电转换效率
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TN40(微电子学、集成电路(IC))
国家科技重大专项;国家自然科学基金;浙江省自然科学基金;中国科学院重点实验室开放基金
2016-07-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
606-612