大功率LED伏安特性模型研究

摘要：

研究了大功率LED芯片的伏安特性.基于LED芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函数,构建出了大功率LED芯片的伏安特性新模型和优化模型,模型中的系数采用最小二乘法进行确定.对大功率LED芯片的实测伏安特性数据表明,本文构建出的优化模型比经典的PN结模型更能准确表征LED的伏安特性,与实测的伏安特性数据一致性更高,更具实用价值.

关键词：大功率LED、PN结、伏安特性

所属期刊栏目：26

分类号：TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;国家自然科学基金;福建省自然科学基金;博士启动基金

在线出版日期：2016-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：2076-2082