标准CMOS工艺下高速集成大光敏面光电探测器芯片的研制
为提高大纤芯(1 mm)塑料(POF)光纤通信用的单片集成光接收机(OEIC)的速率并降低成本,对Si基大光敏面光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路进行了研究.首先,基于标准CMOS工艺流程对N+/N-well/ p-sub PD结构进行建模和优化设计,对其光谱响应曲线和频率特性曲线进行了仿真;其次,建立PD等效电路模型,结合设计的后续放大电路进行协同设计与仿真;最后,采用0.5 μm CMOS工艺对单个面积为200 μm×200 μm的PD以及后续放大电路单片集成电路进行了流片、封装和测试.实验结果表明,在-2.5V偏压下和650 nm波长入射光,N+/N-well/p-sub PD的响应度约有0.12 A/W,暗电流约为-9 pA;单片光接收机在小于10-9的误码率BER条件下,灵敏度为-23 dBm,并得到250 Mbit/s速率的清晰眼图.
光接收芯片、塑料光纤(POF)通信、单片集成、光电探测器(PD)、CMOS工艺
26
TN491;TN303(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;东南大学毫米波国家重点实验室开放基金;安徽省自然科学基金;安徽省高等学校省级自然科学研究项目;福建省科技计划重点项目;阜阳师范学院博士科研启动基金;阜阳师范学院科技成果孵化基金;资助项目
2015-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
1460-1467
