n-ZnO/p-GaAs异质结光电探测器光电特性研究

摘要：

利用脉冲激光沉积(PLD)技术在p-GaAs外延片上生长了n型ZnO薄膜,制备了n-ZnO薄膜/p-GaAs异质结光电探测器原型器件.X射线衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,生长在GaAs表面上的ZnO薄膜具有较高的结晶质量.在反向偏压下,器件表现出良好的近红外探测性能,工作电压在-0.5V到-4.0V时,光谱响应度峰值在850 nm附近;当反向电压为-2.0V时,光响应度达到饱和,响应度峰值达到10.17 A/W.而比探测率峰值则在-2.0V达到最大值2.06×1010 cm Hz1/2/W,之后下降.反向工作电压下的光谱响应度和比探测率曲线表明,器件对850 nm附近的近红外光具有较强的选择性(FWHM约为30 nm).

关键词：探测器、异质结、ZnO、GaAs、响应度

所属期刊栏目：26

分类号：O472+.8(半导体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金;科技计划;鲁东大学科研项目

在线出版日期：2015-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1278-1283