InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究

摘要：

合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关.本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光器的欧姆接触合金层,通过改变退火温度和退火时间调节量子点激光器中接触电阻的阻值.实验发现,退火时间对接触电阻的改变不大,但是提高退火温度却能极大地降低接触电阻的阻值.实验获得了Au/Ni/Au/Ge合金层与InAs/InP量子点激光器最佳欧姆接触条件,通过矩阵传输法测得相应接触电阻率为1.34×10-6 Ω·cm2.在此条件下,制各激射中心波长为1.577 μm的多模量子点激光器,室温下单面最大输出功率达到和超过39 mW.

关键词：量子点、激光器、接触电阻、合金化

所属期刊栏目：26

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;广东省自然科学基金;深圳市科技创新计划

在线出版日期：2015-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：30-34