MgO界面层对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED光电性能的影响

摘要：

为了较好地实现n-ZnO的电致发光(EL),利用水热法在p-GaN外延片上制备了ZnO纳米棒阵列,构造了n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED原型器件,并研究了MgO界面层对器件光电性能的影响.结果表明,n ZnO纳米棒/p-GaN异质结器件具有明显的二极管整流效应.室温、正向偏压下,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED仅在430 nm附近具有单一的发光峰,而n-ZnO纳米棒/MgO/p-GaN异质结LED的电致发光光谱由一个从近紫外到蓝绿光区的宽发光带组成.结合光致发光(PL)谱和Anderson能带模型,深入分析了n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结的载流子复合机制.

关键词：n-ZnO纳米棒、p-GaN、异质结、电致发光(EL)

所属期刊栏目：25

分类号：O482.31(固体物理学)

在线出版日期：2014-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：851-856