基于CMOS工艺的双层非制冷热敏电阻型红外探测器
采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本双层非制冷热敏电阻型红外探测器.探测器采用隐藏桥腿式微桥结构,使用表面牺牲层技术实现,其中包括Al、W和Si3种牺牲层材料.CMOS工艺加工完成后,双层微桥结构的微机械加工过程只需进行湿法腐蚀即可,成本较低.对双层红外探测器的热性能和光电特性进行测试,其热导为1.96×10-5 W/K,热容为2.23×10-8 J/K,热时间常数为1.14 ms.当红外辐射调制频率为10 Hz时,双层红外探测器的电压响应率为2.54×104 V/W,探测率为1.6×108 cm· Hz1/2/W.
CMOS红外探测器、非制冷红外探测器、低成本红外探测器、多牺牲层、双层红外探测器
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TN215(光电子技术、激光技术)
2014-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
845-850
