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发光二极管的反偏电容和电导特性研究

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发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性.本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系.实验结果表明,随着频率的增加,LED反偏电容减小,反偏电导增加.不同Ⅰ-Ⅴ特性的LED具有明显不同的反偏电容电导特性.分析认为,PN结的隧穿电流和表面漏电流是引起以上现象的主因;反偏电容和电导特性可作为对LED评价的重要参数指标,实现产品质量筛选.

发光二极管(LED)、反偏电容、反偏电导、隧穿电流

25

TN312.8(半导体技术)

国家“863”计划2013AA03A118;重庆市自然科学基金CSTC2011BA7023;中国博士后科学基金

2014-05-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

648-652

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光电子·激光

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12-1182/TN

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2014,25(4)

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