Si4+掺杂对Gd1.6WO6∶Eu0.43+荧光粉发光特性的影响

摘要：

采用高温固相法合成了不同Si4+掺杂比例的Gd1.6(W1-xSix)O6∶Eu0.43+荧光粉,分析了Si4+掺杂对Gd1.6(W1-xSix)O6∶Eu0.43+荧光粉晶格结构的影响,研究了不同Si4+掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射光谱和衰减曲线.结果发现:Si4+的掺杂改变了基质的结构,使得激活剂离子Eu3+周围的晶体场改变,从而改变了荧光粉的发光效率,当Si4+的掺杂浓度达到0.4 mol时,晶体对称性最差,粉体发光强度最大.根据发射光谱和衰减曲线计算了样品的J-O强度参数和无辐射跃迁几率,结果表明适量的Si4+掺杂可以抑制无辐射跃迁,提高发光强度.计算结果与实验结果相符.

关键词：Gd1.6WO6∶Eu0.43+荧光粉、晶体对称性、发光强度

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分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：天津市高等学校科技发展基金20120905;天津理工大学育苗基金LGYM201112

在线出版日期：2014-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：496-500