基于标准CMOS工艺的串联高压太阳能电池研究

摘要：

基于标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流程,设计了p+/N-well和n+/p-sub两类结构的太阳能电池单元,通过分析影响电池性能参数的主要因素,设计、制备出4种不同单元尺寸的电池结构.测试结果表明,在标准测试条件下,面积50 μm×50 μm的单元结构具有最优的性能参数,其开路电压和短路电流分别为0.49V和76.61 μA/mm2,最大输出功率达29.44 μW/mm2,光电转换效率为2.94％.基于优化的器件结构,将两类不同结构的电池单元串联实现了高压输出的太阳能电池,电池的输出电压为0.95 V,短路电流和最大输出功率分别为13 μA/mm2和10.5μW/mm2.

关键词：能量采集、太阳能电池、高压输出、单片集成、互补金属氧化物半导体(CMOS)

所属期刊栏目：25

分类号：TN364(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61072010,61036002,61106052

在线出版日期：2014-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：213-216