退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响

摘要：

以纯度为99.95％、Al2 O3为2wt.％的ZnO-Al2O3金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO (AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度对AZO薄膜的形貌、导电及场发射性能的影响.采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面形貌与结晶特性进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结晶度变好;场发射性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当退火温度为300℃时,AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8 V/μm,发光均匀性较好,亮度达到650 cd/m2,导电性能最好,电阻率为5.42×10-4 Ω·cm.

关键词：Al掺杂ZnO(AZO)薄膜、退火温度、磁控溅射、场发射

所属期刊栏目：25

分类号：O462.4(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家“863”重大专项2013AA030601;国家自然科学基金61106053,61101169;教育部博士基金20103514110007;福建省自然科学基金2013J01236

在线出版日期：2014-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：101-106