激光波长对非晶硅薄膜晶化效果的影响

摘要：

为研究波长对连续激光晶化非晶硅(a-Si)薄膜过程的影响,利用连续Ar+-Kr+激光对a-Si薄膜晶化,在5 ms固定照射时间下,改变激光波长,采用拉曼光谱测试技术和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究在不同激光功率密度下薄膜晶化后的特性.结果表明,a-Si薄膜的晶化阈值随着波长的增大而增大,当波长为458 nm时薄膜晶化阈值为13.2 kW/cm2,波长为647 nm时,晶化阈值为19.2 kW/cm2；在激光功率密度范围为0～27.1 kW/cm2内,薄膜的最大晶化率受波长的影响相对较小,但总体也随着波长的增大而呈增大趋势,当波长为647 nm时,在激光功率密度26.5 kW/cm2处,晶化率达到最大值75.85％.

关键词：薄膜、非晶硅(a-Si)、连续激光晶化、波长、晶化率

所属期刊栏目：24

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：河南大学省部共建科研基金SBGJ090513

在线出版日期：2013-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1948-1952