沉积预制层衬底温度对CIGS薄膜结构特性的影响

摘要：

采用三步共蒸发工艺在玻璃衬底上制备CIGS薄膜,研究沉积预制层的衬底温度对CIGS薄膜结构特性的影响.薄膜的厚度、组份、晶相结构、表观形貌和电学特性分别由台阶仪、X射线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和霍耳效应测量仪来表征.沉积预制层的衬底温度较低(如300℃和360℃)时,预制层中Ga含量较低,容易形成In2 Se3相；而衬底温度较高(如400℃)时,预制层中Ga含量较高,容易形成(In,Ga)2 Se3相；原因是Ga2 Se3的形成焓(-462.4 kJ/mol)比In2 Se3的(-360 kJ/mol)低,没有In2 Se3稳定；In2 Se3相比Ga2 Se3相更容易稳定存在,尤其是在低温下；当温度较高时,Ga2 Se3相也容易存在,与In2 Se3一起形成(In,Ga)2 Se3固溶体.而且,衬底温度较高(如400℃)时,沉积的CIGS薄膜中的Ga含量比其它两种衬底温度下沉积的薄膜都高,薄膜粗糙度较小,迁移率和载流子浓度都比较大,电阻率较小.

关键词：CIGS、三步共蒸发、预制层、衬底温度、结构特性

所属期刊栏目：24

分类号：TM914.442;TN305.92

资助基金：天津市教委基金20060607

在线出版日期：2013-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1936-1941