具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备

摘要：

设计制作了一种具有侧面柱状结构的高压发光二极管(HV-LED)芯片,与未作侧面柱状结构的HV-LED芯片相比,在正向电流20 mA下,其光功率提高了7.6％,而正向电压和波长基本维持不变.对这两种HV-LED芯片的电流和电压以及电流和光功率的关系进行研究.封装白光后的测试结果表明,在色温4500 K、驱动电流20 mA下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片光效达125.6 lm/W.在标准测试温度为20℃、正向电流为20 mA驱动下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片封装老化测试1000 h后,光衰仅为2％.

关键词：高压发光二极管(HV-LED)、侧面柱状结构、光提取效率

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2+3(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项基金2011ZZ0017;广东省战略性新兴产业发展专项资金2010A081002009,2011A081301004,2012A080302003;广州市重大科技专项2010U1-D00221,2011Y5-00006

在线出版日期：2013-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1906-1910