Si基槽型光波导的传输特性分析和传输损耗的测量

摘要：

对Si基槽型(slot)光波导的传输特性进行了研究.采用三维时域有限差分(3D-FDTD)法研究了芯层中的光功率与波导槽型宽度及Si条带宽度之间的关系,结果显示,槽型光波导具有很好的光功率约束效率,可以达到30％以上；分析了光功率的变化规律及其优化,综合考虑光功率和光功率密度确定波导结构参数,实现最佳光功率分布,横向光功率分布沿x轴方向具有很好的约束效果,沿y轴方向呈现高斯分布；分析了底部Si薄层对光功率的影响,100 nm的底部Si薄层使得芯层的光功率下降50％,减小底部Si薄层厚度有利于光功率约束效率的提高；采用电子束刻写(EBL)技术和等离子刻蚀(ICP)技术制备了Si基槽型光波导,实验研究了其传输损耗,结果显示,槽型光波导具有较低的传输损耗,达到13.5 dB/cm.

关键词：Si基光波导、槽型光波导、传输特性、功率约束、损耗

所属期刊栏目：24

分类号：TN256;TN252(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室开放基金2011KFB003

在线出版日期：2013-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1286-1290