In+Cd共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究

摘要：

通过脉冲激光沉积(PLD)在石英玻璃基底上沉积了四元Zn0.86Cd0.11In0.03 O(ZCIO)合金半导体薄膜.其中,Cd的掺杂是用以改变ZnO的光学禁带宽度,In是用以提高载流子浓度.X射线衍射(XRD)分析证实,ZCIO具有六方纤锌矿结构而没有其它相(如CdO和In2O3相)出现.场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)观察到ZCIO薄膜的晶粒尺寸要比未掺杂ZnO的小.所有薄膜在可见光范围内都有很高的透过率(≈85％).最重要的是,在保持了Zn1-xCdxO薄膜的光学特性外,ZCIO薄膜的电学性能得到了改善,低的电阻率(4.42×10-3 Ω·cm)和高的载流子浓度(5.50×1019 cm-3),使得它比Zn1-xCdxO薄膜更具应用价值.

关键词：薄膜、脉冲激光沉积(PLD)、透明导电氧化物、霍尔效应

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：云南省科技KKSY201251089

在线出版日期：2013-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：539-545