阱宽对GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱红外探测器光谱响应的影响

摘要：

采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了两种不同结构参数的GaAs/Al0.3 Ga0.7As红外量子阱材料,利用傅里叶光谱仪,分别对阱宽为4.5与5.0 nm的样品进行77K液氮温度下光谱响应测试及室温光致发光(PL)光谱测试,样品的峰值响应波长分别为8.39、7.69μm,与根据薛定谔方程计算得到的峰值波长8.92、8.05 μm的误差分别为6.36％、4.70％.对吸收峰向高能方向发生漂移的现象进行了分析讨论,认为势阱变窄时阱中的应力作用较强是导致峰值波长红移的原因,而与GaAs阱中进行适度Si掺杂无关.PL实验结果与理论计算相符合,表明增加阱宽是量子阱带间跃迁能量升高的原因.据此可实现对量子阱能级的微调,从而满足对不同波长探测的需要.

关键词：量子阱红外探测器(QWIP)、阱宽、光谱响应、光致发光(PL)光谱

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分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家总装备部共性技术支撑4040503104;国家自然科学基金50975228;教育厅项目12JK0980;西安市科创新计划CXY1007-3

在线出版日期：2013-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：419-423