标准CMOS工艺新型多晶硅PIN-LED的设计与实现

摘要：

采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10 μm器件的正向导通电压为1.5V,反向击穿电压为8.8V;当其工作在正向载流子注入模式时发射950～1 250 nm波段的红外光,工作在反向雪崩击穿模式时发射650～1000 nm波段的可见光.实验结果表明,本文以多晶硅材料制备的PIN-LED与单晶硅材料制备的Si-LED具有类似的电学特性与光学特性.

关键词：多晶硅PIN-LED、标准CMOS工艺、发光

所属期刊栏目：24

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学重点基金61036002

在线出版日期：2013-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6-10