用液相外延法生长3～7μ,波段InAs／InAs1-ySby及其光学和电学性质

摘要：

用液相外延（LPE）法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层，研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外（FTIR）透射、光荧光（PL）谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学性质是将计算值与实测有效霍尔（Hall）参数的厚度关系拟合得到的。结果表明，本文生长的材料在中红外光伏型探测器上具有良好的应用前景。

关键词：InAs/InAsSb、液相外延(LPE)、光学性质、电学性质

所属期刊栏目：23

分类号：O612.5(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金60777022

在线出版日期：2012-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：286-290