梯度掺杂生长绒面结构ZnO：B-TCO薄膜及其特性研究
采用新的金属有机化学气相淀积（MOCVD）-ZnO镀膜工艺技术一梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO：B—TCO薄膜。结果表明，梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且，梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率，有利于应用于宽谱域薄膜太阳电池。生长获得的MOCVD—ZnO薄膜，其薄膜电子迁移率为24cm2／v，电阻率为2．17×10-2Ω·cm，载流子浓度为1．20×10 ^20cm-3，且在小于1000nm波长范围内的平均透过率大于85％。
金属有机化学气相淀积(MOCVD)、绒面结构ZnO：B薄膜、TCO、梯度掺杂技术、薄膜太阳电池
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TN304;O484(半导体技术)
国家”973”重点基础研究2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707;国家高技术研究发展计划2009AA050602;科技部国际合作2009DFA62580;天津市应用基础及前沿技术研究计划09JCYBJC06900;中央高校基本科研业务费专项资金65010341
2012-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
280-285
