不同转移法对碳纳米管场发射特性的影响

摘要：

通过印刷法、喷涂法和电泳沉积法转移经过处理的碳纳米管（CNT）原料到ITO电极上，高温烧结制备CNT阴极阵列，并对CNT的表面形貌和场发射性能进行测试分析。结果表明，不同转移方法对CNT阴极场发射性能的影响不同，印刷法、喷涂法及电泳沉积法3种方法制备CNT阴极场发射的开启电场分别为2．21、1．62和1．85V／μm；当电场为2．3V／μm时，喷涂法制备的CNT阴极场发射性能最佳，电泳沉积法制备CNT阴极次之，印刷法制备的CNT阴极最差，并根据金属半导体理论分析其原因。

关键词：喷涂法、印刷法、场发射、碳纳米管(CNT)

所属期刊栏目：23

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;福建省自然科学基金

在线出版日期：2012-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：244-247