InAs/InP量子点激光器制备工艺研究
报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊条宽为6μm的量子点激光器。此激光器能够在室温连续波模式下工作,激射波长在光纤通信重要窗口1.55μm,单面最大输出功率超过12mW。
激光器、量子点、腐蚀溶液、腐蚀方向
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TN253(光电子技术、激光技术)
广东省自然科学基金S2011040001330
2012-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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