微晶硅薄膜微结构对稳定性的影响

摘要：

实验研究了不同晶化率的微晶硅（μc-Si）薄膜的光衰退现象,提出了制备高稳定性硅薄膜太阳电池材料选取方案。研究结果表明,μc-Si中的非晶硅（a-Si）组分是导致光衰退的主要原因,晶化率越高,材料越稳定;过渡区靠近μc-Si材料区域的μc-Si材料,由于具有更好的稳定性和光敏特性,适于制备μc-Si太阳能电池;过渡区附近靠近a-Si材料区域的μc-Si材料,由于具有更高的稳定性,适于制备a-Si太阳能电池。

关键词：微晶硅(μc-Si)薄膜、太阳能电池、稳定性

所属期刊栏目：22

分类号：O742.9(晶体化学)

资助基金：国家中长期科技发展规划;高等学校博士学科点专项科研基金

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1364-1366