基于电致发光成像理论的硅太阳电池缺陷检测

摘要：

基于半导体电致发光（EL）的基本理论,在理想P-N结模型条件下,定量计算正向偏压时硅太阳电池EL强度与少数载流子扩散长度的对应关系;分析了电池片中缺陷和扩散长度（EL强度）的关系,指出通过硅电池EL图像检测电池缺陷的可行性。搭建实验平台,分别拍摄单晶硅和多晶硅电池的EL图像,从中成功检测出各种缺陷;编写可视化裂纹自动检测软件,用数字图像处理相关算法检测识别EL图像中的缺陷,为太阳电池的流水线自动检测提供一种快速、准确的方法。

关键词：硅电池、微小缺陷、电致发光(EL)、扩散长度、图像处理

所属期刊栏目：22

分类号：O472(半导体物理学)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1332-1336