GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化

摘要：

基于量子阱结构中载流子遂穿势垒原理,使用APSYS软件模拟不同条件下具有不同垒高、垒宽及阱宽的发光二极管（LED）的I-V特性、光强和内量子效率（IQE）的变化,发现自发发射光谱存在红移现象。通过与传统LED的多量子阱（MQW）参数比较发现,当阱宽为2 nm、垒宽为4 nm、垒中In含量为0.08和驱动电流为20mA时,电压降低了18.43%,光强增加了11.46%,红移现象减小了5 nm。研究结果可为LED芯片的应用设计提供参考。

关键词：InGaN/GaN多量子阱(MQW)、光谱强度、内量子效率(IQE)、APSYS

所属期刊栏目：22

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：江苏省科技资助项目BG2007026;扬州市科技计划资助项目YZ2009092

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1326-1331