注入电流对GaN基LED发光特性的影响

摘要：

通过调节量子阱中的In组分,制备了GaN基蓝光和绿光发光二极管（LED）。对两种LED进行变电流测试发现,注入电流由3 mA增加到900 mA过程中,波长有蓝移现象,且绿光LED的波长蓝移较明显。这是量子阱限制斯塔克效应（QCSE）造成的。由于绿光LED中In组分含量较大,QCSE较明显。并且发现,光效迅速下降,绿光LED的光效下降幅度更大。这是由于电流不强时局域态中的电子溢出到导带与位错缺陷和空穴发生非辐射复合,电流很大时空穴量子阱中空穴分布不均匀,没有足够的空穴与导带的电子复合,电子溢出有源区形成无效的电流注入,造成光效迅速下降;绿光LED的明显蓝移使视效函数V（λ）值减小,使测量的光效下降幅度更大。

关键词：发光二极管(LED)、氮化镓(GaN)、蓝移、光效、量子阱限制斯塔克效应(QCSE)、无效注入

所属期刊栏目：22

分类号：TN364.2(半导体技术)

资助基金：国家”863”计划资助项目2009AA03A1A3 2008AA03A192;国家科技重大专项资助项目20082X10001-014;科技部技术创新基金资助项目09C26221100138

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1309-1312