利用碳糊成膜法改进CdTe太阳电池背处理工艺
提出一种新型的制备Cd%太阳电池背接触方法。利用碳糊成膜法,将含Cu、Te的CdCl2浆状悬浊液涂覆在CdTe表面,只进行一次后退火,X射线衍射(XRD)、二次质子谱(SIMS)测试发现,就能同时达到CdCl2后处理的作用、形成CuxTe的缓冲层和降低背接触势垒的目的。实验结果表明。本文方法将传统的CdCl2后处理和形成CujWe缓冲层工艺合二为一,制备的CdTe太阳电池含较好控制了的Cu扩散,提高了电池性能;且制备工艺简单易行,可以较显著地降低成本,适合大面积生产。
CdTe太阳电池、背接触、碳糊成膜法
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TK514(特殊热能及其机械)
国家高技术研究发展计划(863计划);国家自然科学基金
2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
1157-1161