采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜

摘要：

采用低温缓冲层技术,在Si衬底上生长了质量优良的Ge薄膜。利用原子力显微镜（AFM）、双晶X射线衍射（XRD）和拉曼散射等研究了薄膜的晶体质量。结果表明,由于无法抑制三维岛状生长,低温Ge缓冲层的表面是起伏的。然而,Ge与Si间的压应变几乎完全弛豫。当缓冲层足够厚时,后续高温Ge外延层的生长能够使粗糙的表面变得平整。在90 nm低温Ge缓冲层上生长的210 nm高温Ge外延层,表面粗糙度仅为1.2 nm,位错密度小于5×105cm^-2,XRD的峰形对称,峰值半高宽为460 arc sec。

关键词：Ge薄膜、低温缓冲层技术、表面形貌、超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)

所属期刊栏目：22

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）2007CB613404

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1030-1033