沉积温度对HfO2薄膜应力及光学特性的影响

摘要：

采用电子枪蒸镀法制备了不同沉积温度下的HfO2薄膜样品,利用ZYGO干涉仪、UV3101-PC分光光度计、X射线衍射(XRD)仪和冷场发射扫描电镜(SEM)对样品进行了测试.结果表明,在实验所选择的沉积温度下,制备的薄膜都是非晶态结构;残余应力和本征应力均为张应力,沉积温度低于220℃时热应力对残余应力起主要作用;沉积温度高于220℃时,本征应力对残余应力起主要作用,且沉积温度220℃时残余应力最小;HfO2折射率随沉积温度的升高而增大,不同沉积温度下制备的薄膜折射率都是正常色散;沉积温度220℃下制备的薄膜平整度最好.这些结果可以为镀制高质量HfO2薄膜提供参考.

关键词：残余应力、本征应力、HfO2薄膜、沉积温度、光学特性、微结构

所属期刊栏目：22

分类号：O484.5(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金ZR2009GL010

在线出版日期：2011-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：884-887