SoI基微环谐振可调谐滤波器
采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5 μm.测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.1 dB.通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4~60.0℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12nm/℃.
绝缘体上Si(SoI)、纳米线波导、微环谐振(MRR)、滤波器、热光效应
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TN256(光电子技术、激光技术)
国家高技术研究发展计划(863计划);国家自然科学基金
2011-12-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
813-815