表面粗化高空穴浓度InGaN:Mg性能及其发光二极管应用

摘要：

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN:Mg薄膜,对不同源流量InGaN:Mg材料特件进行了研究.光学和电学特性观测表明,当外延生长温度在760℃,三甲基铟(TMIn)摩尔流量不变时,随CP2Mg和Ⅲ族源摩尔比([CP2Mg]/[Ⅲ])增加,当In摩尔成分增加,空穴浓度也线性增加;当[CP2Mg]/[Ⅲ]比为1.12×10-3时获得4.78×1019cm-3高空穴浓度.通过原子力显微镜(AFM)观察到粗化的表面,采用InGaN:Mg薄膜作为接触层制备的发光二极管(LED)比常规LED的电荧光强度提高28%.

关键词：Mg掺杂InGaN、金属有机物化学气相淀积(MOCVD)、原子力显微镜(AFM)、发光二极管(LED)

分类号：TN253(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;北京市自然科学基金;北京市教委科技发展计划;北京工业大学博士科研启动基金

在线出版日期：2011-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：666-668,672