室温核辐射CdZnTe像素探测器的研制

摘要：

采用布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制成室温核辐射像素探测器.首先通过红外透过显微(IRTM)成像、电阻率测量以及单元探测器能谱响应测试等手段,综合评定了探测器用CZT晶体的质量,结果表明,晶片富Te相密度为28.43 mm-2且尺寸分布较均匀,电阻率为1010 Ω·cm;电子迁移率寿命积为1.07×10-3 cm2/V,晶片质量完全达到像素探测器的制作要求.采用光刻及双层胶剥离技术在CZT晶片表面制备出4×4像素Au电极,制备出金属-半导体-金属(MSM)结构像素阵列探测器,并研究了像素探测器的H2O2溶液湿法钝化和低能氧离子轰击干法钝化工艺,钝化后16个像素在100 V偏压下的漏电流为0.79～1.2 nA.室温下测试像素探测器对未经准直的241Am@59.5 keV γ射线的能谱响应,结合Shockley-Ramo理论,分析了不同像素能谱响应的影响规律.

关键词：CdZnTe(CZT)、像素探测器、钝化、Shockley-Ramo理论、能量分辨率

分类号：TL814;TN304.2;TN305(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2011-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：660-665