Zn0.8Na0.1Co0.1O薄膜的制备及衬底温度对其影响
采用脉冲激光沉积(PLD)技术.在温度为400、500和600℃的SiO2衬底上成功制备出Zn0.8Nao.1Co0.1O薄膜.用x射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、荧光光谱仪、四探针电阻率测试台等对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征,讨论了不同衬底温度对薄膜结构、光学和电学性质的影响.结果表明:掺杂没有改变ZnO的六角纤锌矿结构;表面较平坦;薄膜只有较强的紫外发射且较本征Zn0出现红移;薄膜呈现低电阻率的特性.当衬底温度为600℃时,薄膜的结晶质量最好,紫外发射最强;衬底温度为400℃时,薄膜电阻率最低,达到厂7.55×10-1Ω·cm.讨论b 上述结果产生的原因.
脉冲激光沉积(PLD)、ZnO薄膜、衬底温度、光电性质、红移
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O649(物理化学(理论化学)、化学物理学)
山东省自然科学基金;山东省科技发展计划;济南大学博士基金;教育部重点实验室开放基金
2011-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
395-399